телефон (495) 231-3586 факс (495) 306-7687

Оптические накопители компании IBM в 50 раз быстрее, чем флеш-память

ГлавнаяНовостиНовости компанииОптические накопители компании IBM в 50 раз быстрее, чем флеш-память

А память на основе фазового перехода теперь дешевле, чем оперативка.

Флэш-память сейчас слишком медленна в качестве основной памяти в устройстве, но оперативная память при этом дорога и нестабильна. Благодаря новейшей разработке IBM в области памяти с фазовым переходом (PCM), возможно, в скором времени заменить оба типа памяти на один. Кристалл на основе запоминающих устройств используется в оптических дисках и других технологий, по крайней мере 15 лет, но эта технология была ограничена стоимостью и плотностью хранения - ячейки либо "включены" или "выключены". Тем не менее, исследователи IBM выяснили как сохранить 3 бита данных на одну ячейку, что значительно увеличивает пропускную способность оригинальной технологии.


ibm-phase-change-memory-2016-05-17-01.jpg


Для хранения данных PCM на Blu-Ray диске используются аморфные (не кристаллические) стеклянные материалы, которые превращаются в более проводящую кристальную форму под воздействием больших токов. Чтобы прочитать запись, применяется более низкое напряжение для измерения проводимости - значение “1” при высокой и “0" при низкой, то есть всего 2 состояния.  При нагревании материалов можно достичь и большего диапазона состояний, но проблема в том, что кристаллы могут «дрейфовать» в зависимости от температуры окружающей среды. Команда IBM выяснила, как отслеживать и кодировать эти варианты, что позволяет надежно прочитать 3 бита данных на одну ячейку долго после того, как она была написана.


 Это открытие неожиданно делает PCM намного интереснее - скорость этого решения в настоящее время гораздо лучше, чем у флеш-памяти, но затраты на производство столь же высоки, как и у RAM, из-за низкой плотности. “Возможность распознавания 3 бит на ячейку является важной технологической вехой, поскольку при этой плотности стоимость PCM будет значительно меньше, чем DRAM и гораздо ближе ко флеш-памяти,” говорит Харис Позидис (Dr. Haris Pozidis) из IBM Research. Благодаря этому важному открытию, память на основе фазового перехода будет применять не только в оптических дисках.


 Как вариант, память PCM может быть использована в сочетании с обычной флеш-памятью, чтобы создать сверхбыстрый кэш для сотового телефона. По мнению исследователей, операционная система мобильного телефона вполне может быть размещена в PCM, что позволит смартфону загружаться в течение нескольких секунд. Такая память может заменить обычные SSD-накопители для критически важных по времени приложений, так как память PCM может считывать данные менее чем за 1 мкс, по сравнению с 70 микросекунд для флеш-памяти. Память RAM, конечно же, по-прежнему намного быстрее в некоторых приложениях, но PCM может работать в качестве универсального хранилища и в будущем заменить как оперативную память, так и флэш-память.


 Все эти разработки по-прежнему необходимо реализовать коммерчески, ведь на горизонте маячат и другие перспективные технологиями, такие как мемристоры и резистивная память RAM. В IBM считают, что это более сем реально, однако, сами рассматривает свою новую память в первую очередь как идеальный носитель информации для содержания и хранения систем искусственного интеллекта на подобие приложений Watson.




Яндекс.Метрика